型号:IRF7910PBF | 类别:FET - 阵列 | 制造商:International Rectifier |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET N-CH 12V 10A 8-SOIC |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 12V 10A 8-SOIC |
系列 | HEXFET® |
制造商 | International Rectifier |
FET型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 12V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 10A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 15 毫欧 @ 8A,4.5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 26nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1730pF @ 6V |
功率_最大 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 管件 |
供应商
深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
深圳市华创欧科技有限公司 | 朱先生086-0755-23945755 83248872 |
标准国际(香港)有限公司 | 蔡小姐755-83206150/83258002/83223169 |
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